1.三座的基本概念和原理
作為晶體管家族的關鍵成員，晶體管在電子電路中起著必不可少的作用。它包含三個基本部分：基礎，發射極和收集器。在這裡，我們主要關注NPN晶體管。NPN晶體管的核心特性可以通過等效電路來描述，在該電路中，基數和發射極之間的連接等效於二極管，並且收集器和發射極之間的連接可以視為可調電阻。該電阻的電阻從幾個歐姆到無窮大（開路狀態）差異很大。
在深入討論之前，我們必須闡明NPN晶體管的特徵方程：IC =βIB。在這個方程式中，Ib表示從鹼基到發射極的電流，IC是從收集器到發射極的電流，而β是三極管的放大因子。該倍數是根據生產過程確定的常數，其值通常在數十個和數百個之間。但是，應注意的是，三極管通過調整收集器和發射極之間的等效電阻（RCE）來實現這種擴增效果。當RCE調整為極低的值，但仍無法實現IC =βIB時，我們稱其為“飽和”狀態。相反，當將RCE調整為極高的值但仍無法實現IC =βib時，它被稱為“截止”狀態。理想情況下，晶體管應在擴增區域（即IC =βib的狀態）起作用。
2. NPN晶體管常數電流源排出電路的構建和分析
在電子電路設計中，恆定電流源的應用至關重要。以常規電容器排放電路為例，排放電流IC = UC/R，其中UC表示電容器的電壓。由於電容器電壓隨時間降低，因此傳統的放電電流不是恆定的。但是，通過使用NPN晶體管，我們可以構建一個恆定的電流放電電路。
在這樣的電路設計中，電容器的放電電流獨立於其電壓。例如，假設電路的VE值為4.3V（計算為5V減去0.7V），那麼我們可以發現IC（收集器電流）大約等於IE（發射器電流），計算為VE除外。 RE（發射器電阻） 。該計算過程基於一個重要的前提：三極管必須在放大區域工作，即必須滿足IC =βib。考慮到β的一般值在100倍的階段，可以認為IE大約等於IC。
3.三極電路的解決方案過程
在設計和分析晶體管電路時，我們通常遵循以下步驟：首先假設晶體管在擴增區域起作用並滿足IC =βib和IC≈IE的條件；然後，基於計算結果成型推導UCE（收集器和發射器之間的電壓））是合理的，以確定先前的假設是否為真。例如，假設電容器上的電壓為10V，我們可以將UCE計算為5.7V，這又使RCE值為5.7K歐姆。這意味著，通過將RCE調整為5.7K歐姆，晶體管可以將電容器的放電電流保持在1mA。同樣，當電容器電壓為8V時，UCE為3.7V，RCE為3.7K歐姆，因此排放電流仍保持在1mA。
但是，當電容器電壓下降到一定閾值以下（例如3V）以下時，我們會發現UCE的計算結果變為負值（-1.3V），這顯然是不合理的。這表明即使RCE降至0歐姆，也無法滿足IC =βib的狀況。因此，當電容器電壓下降到4.3V以下時，晶體管將不再在放大區域中運行，而是進入飽和區域。值得注意的是，在實際應用中，收集器和發射極之間的電阻不能降低到0Ω，因此UCE的最低值通常只能降低到約0.2V。該值稱為飽和管電壓下降。
4. PNP晶體管在恆定電流源充電電路中的應用
與NPN晶體管不同，要實現恆定的電流充電電路，我們必須使用PNP晶體管。PNP晶體管的工作原理和結構與NPN不同，但在實現恆定電流源充電電路中起著至關重要的作用。在PNP晶體管中，電流的方向與NPN晶體管相反，該晶體管在設計不同類型的電子電路方面具有更大的靈活性。